中国研制出首个半浮栅晶体管 为微电子罕见成就

      复旦大学微电子学院张卫课题组成功研制出第一个介于普通MOSFET晶体管和浮栅晶体管之间的半浮栅晶体管(SFGT)。8月9日,美国《科学》杂志刊发了该研究成果。这是我国科学家首次在该杂志上发表微电子器件领域的论文,标志着我国在全球尖端集成电路技术创新链中获得重大突破。

        要知道中国进口集成电路花的钱超过进口石油,每年花费上千亿。这技术属于诺贝尔级别的,还有忆阻器中国下面可能也会拿到这制高点,这都是未来计算机等各种电路的革命资本,未来我们就有话语权了,还是确定权。

中国,加油!!!!!